5秒后页面跳转
KM75C02AP-120 PDF预览

KM75C02AP-120

更新时间: 2024-11-05 21:22:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 先进先出芯片光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 776K
描述
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28

KM75C02AP-120 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:9216 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9端子数量:28
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX9
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:FIFOs
最大压摆率:0.06 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KM75C02AP-120 数据手册

 浏览型号KM75C02AP-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KM75C02AP-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KM75C02AP-120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KM75C02AP-120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KM75C02AP-120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KM75C02AP-120的Datasheet PDF文件第7页 

与KM75C02AP-120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM75C02AP-25 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
KM75C02AP-35 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
KM75C02AP-65 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 1KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28
KM75C02AP-80 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 1KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
KM75C02AS-20 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28
KM75C03AJ-12 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 2KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
KM75C03AJ-50 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
KM75C03AN-12 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 2KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
KM75C03AN-35 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
KM75C03AN-50 SAMSUNG

获取价格

FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28