是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ36,.44 | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J36 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 23.5 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ36,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.76 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BICMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM68FR1000G-30 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
KM68FR1000GI-30 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
KM68FR1000GI-30H | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68FR1000R-30 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68FR1000RGI-30H | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68FR1000RI-30H | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68FR1000T-30 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
KM68FR1000T-3000 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
KM68FR1000TGI-30H | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68FR1000TRI30 | SAMSUNG |
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SRAM |