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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 最长访问时间： | 10 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM68257LP-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP28 |
|
| KM68257LP-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28 |
|
| KM682J | ETC |
获取价格 |
R. F. Molded Chokes |
|
| KM683J | ETC |
获取价格 |
R. F. Molded Chokes |
|
| KM684000 | SAMSUNG |
获取价格 |
524, 288 WORD x 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| KM684000ALG-45L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, SOP-32 |
|
| KM684000ALG-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| KM684000ALG-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
|
| KM684000ALG-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| KM684000ALGI-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
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