Datasheet > 存储 > SRAM> KM681002BJI-8

KM681002BJI-8

更新时间： 2024-11-25 22:11:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	174K
描述
128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Range.

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM681002BJI-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOJ, SOJ32,.44
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	8 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ32,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

KM681002BJI-8 数据手册

PRELIMINARY

Preliminary

PRELIMINARY

KM681002B, KM681002BI

CMOS SRAM

Document Title

128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out.

Operated at Commercial and Industrial Temperature Range.

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev.1.0

History

Remark

Draft Data

Initial release with Design Target.

Design Target

Preliminary

Apr. 1st, 1997

Jun. 1st, 1997

Release to Preliminary Data Sheet.

1. Replace Design Target to Preliminary.

Rev.2.0

Release to Final Data Sheet.

2.1. Delete Preliminary

Feb. 25th, 1998

Final

2.2. Delete 32-SOJ-300 package

2.3. Delete L-version.

2.4. Delete Data Retention Characteristics and Waveform.

2.5. Add Capacitive load of the test environment in A.C test load

2.6. Change D.C characteristics

Previous spec.

(8/10/12ns part)

160/150/140mA

30mA

Changed spec.

Items

(8/10/12ns part)

160/155/150mA

50mA

Icc

Isb

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquart ers.

Rev 2.0

February 1998

- 1 -

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与KM681002BJI-8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM681002BLSJ-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32
KM681002BLSJ-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32
KM681002BSJ-12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32
KM681002BSJI-12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32
KM681002BT-10	SAMSUNG	获取价格	128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commerc
KM681002BT-12	SAMSUNG	获取价格	128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commerc
KM681002BT-8	SAMSUNG	获取价格	128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commerc
KM681002BTI-10	SAMSUNG	获取价格	128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commerc
KM681002BTI-12	SAMSUNG	获取价格	128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commerc
KM681002BTI-8	SAMSUNG	获取价格	128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commerc

与KM681002BJI-8相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

44
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

58

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

KM681002BJI-8

KM681002BJI-8 技术参数

KM681002BJI-8 数据手册

与KM681002BJI-8相关器件

与KM681002BJI-8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

KM681002BJI-8

KM681002BJI-8 技术参数

KM681002BJI-8 数据手册

与KM681002BJI-8相关器件

与KM681002BJI-8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？