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KM681002ASJI-15

更新时间: 2024-11-26 19:40:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 483K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32

KM681002ASJI-15 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ32,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:15 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.008 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.165 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

KM681002ASJI-15 数据手册

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