是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.55 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 41.91 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM681000CLP-5L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000CLP-7 | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000CLP-7L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000CLR-5 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 | |
KM681000CLR-5L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000CLR-5LT | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 | |
KM681000CLR-7L | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM681000CLR-7LT | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 | |
KM681000CLRI-5 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 | |
KM681000CLRI-5L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |