5秒后页面跳转
KM681000BLG-85L PDF预览

KM681000BLG-85L

更新时间: 2024-11-25 19:39:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO32, SOP-32

KM681000BLG-85L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:20.47 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3 mm标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

KM681000BLG-85L 数据手册

  

与KM681000BLG-85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM681000BLG85-L SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
KM681000BLG-8L SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM681000BLGE-10 SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLGE-10L SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLGE-7 SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLGE-7L SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLGI-10 SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLGI-10L SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLGI-7 SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000BLGI-7L SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM