Datasheet > KM616V1002CLJ-15

KM616V1002CLJ-15

更新时间： 2024-09-23 19:55:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	304K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, SOJ-44

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KM616V1002CLJ-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ44,.44
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J44	JESD-609代码：	e0
长度：	28.58 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ44,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.76 mm	最大待机电流：	0.0003 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.093 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

KM616V1002CLJ-15 数据手册

for AT&T

CMOS SRAM

KM616V1002C/CL, KM616V1002CI/CLI

Document Title

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)

Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Revision History

Rev.No.

Rev. 0.0

Rev. 1.0

History

Remark

Preliminary

Final

Draft Data

Aug. 5. 1998

Sep. 7. 1998

Initial release with Preliminary.

Release to Final Data Sheet.

1.1. Delete Preliminary.

1.2. Changed DC characteristics.

Item

85mA

83mA

Changed

95mA

93mA

ICC

12ns

15ns

20ns

80mA

90mA

Rev. 2.0

Rev. 2.1

Added 48-fine pitch BGA.

Changed device part name for FP-BGA.

Sep. 17. 1998

Nov. 5. 1998

Final

Item

Changed

Symbol

ex) KM616V1002C-Z -> KM616V1002C-F

Rev. 2.2

Rev. 3.0

Changed device ball name for FP-BGA.

Dec. 10. 1998

Mar. 2. 1999

Final

I/O1 ~ I/O8

I/O9 ~ I/O16

Changed

I/O9 ~ I/O16

I/O1 ~ I/O8

1. Added 10ns speed for FP-BGA only.

2. Changed Standby Current.

Item

0.3mA

Changed

0.5mA

Standby Current(Isb1)

3. Added Data Retention Characteristics.

Rev. 3.1

Added 10ns speed for all packages(44SOJ / 44TSOP2 / 48FPBGA)

Apr. 24. 2000

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any questions,

please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Revision 3.1

April 2000

- 1 -

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