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KM44C4100CK-5

更新时间： 2024-11-26 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	340K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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KM44C4100CK-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ24/26,.34
针数：	24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.91	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
JESD-609代码：	e0	长度：	17.15 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ24/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

KM44C4100CK-5 数据手册

KM44C4000C, KM44C4100C

KM44V4000C, KM44V4100C

CMOS DRAM

4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

DESCRIPTION

This is a family of 4,194,304 x 4 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells

within the same row. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-5 or -6), power consump-

tion(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-

RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version.

This 4Mx4 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power

consumption and high reliability. It may be used as main memory for high level computer, microcomputer and personal computer.

FEATURES

• Fast Page Mode operation

•

Part Identification

• CAS-before-RAS refresh capability

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Self-refresh capability (L-ver only)

- KM44C4000C/C-L (5V, 4K Ref.)

- KM44C4100C/C-L (5V, 2K Ref.)

- KM44V4000C/C-L (3.3V, 4K Ref.)

- KM44V4100C/C-L (3.3V, 2K Ref.)

• Fast parallel test mode capability

• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs

• Early Write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

• Active Power Dissipation

Unit : mW

• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages

• Single +5V±10% power supply (5V product)

• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)

3.3V

Speed

-5

-6

324

288

396

360

495

440

605

550

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

• Refresh Cycles

Part

VCC

Refresh

cycle

Refresh period

RAS

CAS

Vcc

Vss

Control

Clocks

NO.

Normal

L-ver

VBB Generator

C4000C

V4000C

C4100C

V4100C

3.3V

64ms

Data in

128ms

Buffer

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

Refresh Counter

32ms

3.3V

DQ0

DQ3

Memory Array

4,194,304 x 4

Cells

• Performance Range

A0-A11

(A0 - A10) *1

A0 - A9

(A0 - A10) *1

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

Speed

-5

Remark

tRAC

50ns

60ns

tCAC

tRC

tPC

Data out

Buffer

13ns

90ns

35ns 5V/3.3V

Column Decoder

-6

15ns 110ns 40ns 5V/3.3V

Note) *1 : 2K Refresh

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KM44C4100CK-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
KM44C4100C-LK-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
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