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KM44C258BZ-8

更新时间: 2024-11-26 14:51:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 586K
描述
Static Column DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19

KM44C258BZ-8 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:ZIP
包装说明:ZIP, ZIP20,.1针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:STATIC COLUMN
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PZIP-T19
JESD-609代码:e0长度:26.165 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:19
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP20,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:10.16 mm最大待机电流:0.001 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:2.96 mm
Base Number Matches:1

KM44C258BZ-8 数据手册

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