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KM44C256DP-L8

更新时间: 2024-11-26 19:20:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20

KM44C256DP-L8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP20,.3
针数:20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.9访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T20
JESD-609代码:e0长度:26.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP20,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

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