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KM44C256DJ-8

更新时间： 2024-11-26 19:20:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	54K
描述
Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO20, SOJ-20

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KM44C256DJ-8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.9	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J20
JESD-609代码：	e0	长度：	17.145 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ20/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	3.76 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM44C256DJ-L8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO20, SOJ-20
KM44C256DP-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM44C256DP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM44C256DP-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM44C256DP-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM44C256DP-L8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM44C256DZ-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, ZIP-20/19
KM44C256DZ-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, ZIP-20/19
KM44C256DZ-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, ZIP-20/19
KM44C256DZ-L8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, ZIP-20/19