5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM416V4104A-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50 |
|
| KM416V4104AS-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM416V4104B | SAMSUNG |
获取价格 |
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
|
| KM416V4104BS-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM416V4104BS-5M | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50 |
|
| KM416V4104BS-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM416V4104BS-6TO | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
|
| KM416V4104BS-L45 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM416V4104BS-L5TO | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50 |
|
| KM416V4104BS-L6DE | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
