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KM28C64AI-25

更新时间： 2024-11-26 14:34:07

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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12页	367K
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

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KM28C64AI-25 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	250 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.59 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

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KM28C64AJI-25	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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