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KM28C256AI-20

更新时间： 2024-11-26 21:16:55

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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11页	271K
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EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

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KM28C256AI-20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.59 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KM28C256JI-15	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
KM28C256JI-20	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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