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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> KK25HB160
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KK25HB160

更新时间： 2024-02-12 17:30:15
品牌 Logo 应用领域
SANREX 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 117K
描述
THYRISTOR MODULE

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KK25HB160 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：N配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：50 mA最大直流栅极触发电压：2 V
快速连接描述：2G-2GR螺丝端子的描述：2A-CK
最大维持电流：50 mA最大漏电流：4 mA
通态非重复峰值电流：500 A元件数量：2
最大通态电流：25000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

KK25HB160 数据手册

 浏览型号KK25HB160的Datasheet PDF文件第2页 
THYRISTOR MODULE  
(
)
PD,PE,KK  
PK  
25HB  
UL;E76102（M）  
Power Thyristor/Diode Module PK25HB series are designed for various rectifier circuits  
and power controls. For your circuit application. following internal connections and wide  
voltage ratings up to 1,600V are available. and electrically isolated mounting base make  
your mechanical design easy.  
93.5MAX  
80  
2- 6.5  
3
2
1
●
T(AV)  
I
T(RMS)  
25A, I  
TSM  
39A, I  
500A  
~
+
–
● di/dt 100 A/μs  
● dv/dt 500V/μs  
Internal Configurations  
16.5  
23  
23  
3-M5  
K2  
G2  
K2  
G2  
110TAB  
（Applications）  
3
2
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
3
2
1
A1K2  
K1  
（K2）�  
（A2）�  
A1K2  
Various rectifiers  
PK  
PE  
AC/DC motor drives  
Heater controls  
Light dimmers  
K2  
2
K2  
G2  
3
2
1
1
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
A1K2  
K1G1  
（A2）�  
（A1）�  
Static switches  
Unit：  
A
PD  
KK  
■Maximum Ratings  
Ratings  
Symbol  
Item  
Unit  
PK25HB120 PD25HB120  
KK25HB120 PE25HB120  
PK25HB160 PD25HB160  
KK25HB160 PE25HB160  
VRRM  
VRSM  
VDRM  
1200  
1350  
1200  
1600  
1700  
1600  
V
V
V
＊
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
＊
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
Unit  
A
T（AV）  
I
25  
＊Average On-State Current  
＊R.M.S. On-State Current  
＊Surge On-State Current  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：94℃  
T（RMS）  
I
39  
A
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：94℃  
1
TSM  
I
A
／cycle, 50Hz/60Hz, peak Value, non-repetitive  
450/500  
2
2
2
2
I t  
Value for one cycle of surge current  
1000  
A S  
＊I t  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
10  
W
W
G（AV）  
P
1
FGM  
I
3
10  
A
FGM  
V
Peak Gate Voltage (Forward)  
Peak Gate Voltage (Reverse)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
V
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
100  
di／dt  
I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
2V ，dI /dt＝0.1A/μs  
A/μs  
V
ISO  
V
A.C.1minute  
2500  
＊
Isolation Breakdown Voltage (R.M.S.)  
Operating Junction Temperature  
Tj  
＊
－40 to ＋125  
－40 to ＋125  
4.7（ 48）  
2.7（28）  
170  
℃
℃
Tstg  
＊Storage Temperature  
Mounting（M6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40）  
Terminal（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Mounting  
Torque  
N･ｍ  
（㎏f･B）  
g
Mass  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
Ratings  
4
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
DRM  
RRM  
I
DRM  
4
＊
＊
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
TM  
V
1.60  
50/2  
0.25  
10  
On-State Current 75A, Tj＝125℃ Inst. measurement  
GT  
GT  
T
D
I ／V  
Tj＝25℃，I ＝1A，V ＝6V  
mA/V  
V
1
GD  
V
D
DRM  
2
Tj＝125℃，V ＝／V  
1
tgt  
T
G
D
DRM  
G
I ＝25A，I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝／V ，dI /dt＝0.1A/μs  
μs  
2
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
D
DRM  
500  
50  
dv／dt  
Tj＝125℃, V ＝／V , Exponential wave.  
V/μs  
mA  
mA  
℃/W  
3
H
I
Tj＝25℃  
L
I
Lutching Current, typ.  
100  
0.80  
Tj＝25℃  
Junction to case  
Rth（j-c）＊Thermal Impedance, max.  
＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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