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KI8810T

更新时间： 2024-11-18 18:09:23

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描述
Dual N-Channel MOSFET

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KI8810T 数据手册

SMD Type

MOSFET

Dual N-Channel MOSFET

KI8810T

(

)

Unit: mm

SOT-23-6

+0.1

-0.1

0.4

■ Features

● VDS (V) = 20V

● ID = 7 A

● R^DS(ON)＜ 20mΩ (VGS = 4.5V)

● R^DS(ON)＜ 30mΩ (VGS = 2.5V)

● R^DS(ON)＜ 50mΩ (VGS = 1.8V)

+0.02

-0.02

0.15

+0.01

-0.01

+0.2

-0.1

●

ESD Rating: 2KV HBM

D1/D2

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

VDS

Gate-Source Voltage

5.7

TA=25℃

TA=70℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

1.5

TA=25℃

TA=70℃

t ≤ 10s

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

thJA

thJC

Steady-State

130

℃/W

Thermal Resistance.Junction- to-Lead

Junction Temperature

150

-55 to 150

℃

Storage Temperature Range

stg

www.kexin.com.cn

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