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KI2307DS

更新时间： 2024-10-31 18:06:23

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P-Channel MOSFET

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KI2307DS 数据手册

SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

SI2307DS (KI2307DS)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

+0.1

-0.1

■ Features

0.4

● VDS (V) =-30V

● ID =-3.0A (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 80mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 140mΩ (VGS =-4.5V)

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Gate

2.Source

3.Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

-30

Unit

Gate-Source Voltage

±20

-3

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

-2.5

-12

1.25

0.8

Ta = 25℃

Ta = 70℃

t≤10 sec

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Junction Temperature

thJA

100

150

Junction and Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

www.kexin.com.cn

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