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KFG1216Q2A-DEB60

更新时间： 2024-09-24 19:45:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
114页	1384K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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KFG1216Q2A-DEB60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
针数：	63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.79	最长访问时间：	76 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
类型：	NAND TYPE	宽度：	9.5 mm
Base Number Matches：	1

OneNAND512(KFG1216x2A-xxB6)

FLASH MEMORY

OneNAND^TMSpecification

Density

Part No.

VCC(core & IO)

Temperature

Extended

Industrial

PKG

KFG1216Q2A-DEB6 1.8V(1.7V~1.95V)

KFG1216Q2A-FEB6 1.8V(1.7V~1.95V)

63FBGA(LF)

63FBGA

512Mb

KFG1216U2A-DIB6

KFG1216U2A-FIB6

3.3V(2.7V~3.6V)

63FBGA(LF)

63FBGA

Industrial

Version: Ver. 1.2

Date: Dec. 23, 2005

12 3 4 5 6 7...114

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KFG1216Q2A-DED50	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
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