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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| 最长访问时间： | 14.5 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 部门数/规模： | 512 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 组织： | 32MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 页面大小： | 1K words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KFG1216Q2A-DEB6 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1216Q2A-DEB60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
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| KFG1216Q2A-DED5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| KFG1216Q2A-DED50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
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| KFG1216Q2A-DED6 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1216Q2A-DED60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
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| KFG1216Q2A-DIB5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1216Q2A-DIB6 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1216Q2A-DIB60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
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| KFG1216Q2A-DID5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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