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BAV70

更新时间： 2024-01-14 08:44:35

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2页	39K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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BAV70 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：	1

BAV70 数据手册

SEMICONDUCTOR

BAV70

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION

FEATURES

· Small Package : SOT-23.

DIM

MILLIMETERS

· Low Forward Voltag : V_F=0.9V(Typ.).

· Fast Reverse Recovery Time : t_rr=1.6ns(Typ.).

· Small Total Capacitance : C_T=0.9pF(Typ.).

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

CHARACTERISTIC

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

V_RM

V_R

1. ANODE 1

2. ANODE 2

3. CATHODE

I_F

Continuous Forward Current

Surge Current (10ms)

250

I_FSM

225*

300**

150

P_D

Power Dissipation

SOT-23

T_j

Junction Temperature

℃

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

* Note1 : Package Mounted On FR-5 Board (25.4×19.05×1.57mm)

** Note2 : Package Mounted On 99.5% Alumina (10×8×0.6mm)

Marking

Lot No.

Type Name

H 7

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_F(1)

V_F(2)

V_F(3)

I_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_F=1mA

0.60

I_F=10mA

Forward Voltage

0.72

I_F=150mA

V_R=80V

1.25

0.5

3.0

4.0

Reverse Current

μA

C_T

V_R=0, f=1MHz

I_F=10mA

Total Capacitance

Reverse Recovery Time

t_rr

2009. 1. 23

Revision No : 1

1/2

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