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KE3587-G

更新时间： 2024-11-06 12:31:39

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描述
N-channel:VDS=20V ID=4A Drain-Source Voltage Vds 20V

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KE3587-G 数据手册

SMD Type

MOSFET

Product specification

(ME3587-G)

KE3587-G

(

)

SOT-23-6

Unit: mm

■ Features

●ꢀ

N-channel:VDS=20V ID=4A

●

＜

RDS(ON) 0.045Ω @VGS=4.5V

＜

RDS(ON) 0.068Ω @VGS=2.5V

＜

RDS(ON) 0.12Ω @VGS=1.8V

P-channel:VDS=-20V ID=-2A

0to0.1

●ꢀ

＜

RDS(ON) 0.11Ω @VGS=-4.5V

＜

RDS(ON) 0.13Ω @VGS=-2.5V

＜

RDS(ON) 0.17Ω @VGS=-1.8V

n-channel

p-channel

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Symbol

VDS

VGS

Max N-Channel Max P-Channel

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

±8

Drain-Current

-Continuous

-Pulsed

-2

IDM

+15

-10

1.15

110

Power Dissipation

℃

Thermal Resistance,Junction- to-Ambient

RθJA

Tj.Tstg

–55 to +150

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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