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KDS196

更新时间: 2024-10-29 22:32:23
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KEC 二极管开关局域网
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2页 202K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

KDS196 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.75
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KDS196 数据手册

 浏览型号KDS196的Datasheet PDF文件第2页 

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