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KDS184

更新时间: 2024-11-16 22:32:23
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KEC 二极管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 206K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

KDS184 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.71
Is Samacsys:N配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KDS184 数据手册

 浏览型号KDS184的Datasheet PDF文件第2页 

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