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KDR552F

更新时间： 2024-11-17 11:29:23

品牌	Logo	应用领域
KEC		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	28K
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HIGH SPEED SWITCHING

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KDR552F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.05 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	25 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDR552F 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDR552F

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

TECHNICAL DATA

FOR HIGH SPEED SWITCHING.

CATHODE MARK

FEATURES

Low reverse current, Low capacitance.

Small Package : TFSC.

DIM MILLIMETERS

1.00+0.05

0.80+0.10/-0.05

0.60 0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.30 0.05

0.40 MAX

SYMBOL RATING

UNIT

0.13+0.05

V_RRM

V_R

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

I_O

Average Forward Current

1. ANODE

2. CATHODE

I_FSM

T_j

Non-repetitive Peak Surge Current (10mS)

Junction Temperature

200

125

T_stg

Storage Temperature Range

-55 125

TFSC

Marking

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

0.33

0.38

0.45

2.80

UNIT

I_F=1mA

I_F=5mA

V_R=20V

V_F

Forward Voltage

I_R

Reverse Current

C_T

V_R=1V, f=1MHz

Total Capacitance

2005. 5. 27

Revision No : 0

1/2

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