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KC818

更新时间： 2024-10-30 12:33:55

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描述
For general AF applications, High collector current

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KC818 数据手册

SMD Type

Product specification

KC818(BC818)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

3

Features

For general AF applications.

High collector current.

High current gain.

1

2

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

-0.1

1.9

Low collector-emitter saturation voltage.

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

power dissipation

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC

Rating

Unit

V

30

25

5

V

V

800

mA

mW

PD

310

Junction temperature

Storage temperature

Tj

150

Tstg

-65 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

30

25

5

Typ

Max

Unit

V

Collector-to-base breakdown voltage

Collector-to-emitter breakdown voltage

Emitter-to-base breakdown voltage

VCBO

VCEO

IC = 10 A,VBE = 0

IC = 10 mA, IB = 0

V

V

IE = 10 A, IC = 0

VCB =25 V, VBE= 0

VEB =4 V, IC = 0

VEBO

ICES

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

100

100

630

nA

nA

IEBO

IC =100 mA, VCE =1 V

100

60

DC current gain *

hFE

IC =300 mA, VCE =1 V

Collector saturation voltage *

Base emitter on voltage

VCE(sat) IC =500 mA, IB = 50 mA

VBE(on) VCE=1V,IC=300mA

0.7

1.2

12

V

V

Output Capacitance

Transition frequency

Cob

fT

VCB=10V,f=1MHz

IC = 10 mA, VCE =5 V, f = 50 MHz

pF

100

MHz

* Pulsed: PW

350 ìs, duty cycle

2%

Marking

NO.

Marking

hFE

KC818-16

8GA

KC818-25

8GB

KC818-40

8GC

100 250

160 400

250 630

1

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KC818(BC818)	KEXIN	获取价格	NPN Transistor
KC818-16	KEXIN	获取价格	NPN Silicon AF Transistors
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KC818-40	KEXIN	获取价格	NPN Silicon AF Transistors
KC818A	KEXIN	获取价格	NPN Silicon AF Transistors
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