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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> KBU406G
KBU406G PDF预览

KBU406G

更新时间： 2024-11-25 04:22:03
品牌 Logo 应用领域
虹扬 - HY 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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KBU406G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-W4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Is Samacsys：N最小击穿电压：600 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-W4
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

KBU406G 数据手册

 浏览型号KBU406G的Datasheet PDF文件第2页 
KBU4A/6A/8A(G) SERIES  
REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000Volts  
FORWARD CURRENT - 4 / 6 / 8 Amperes  
GLASS PASSIVATED  
BRIDGE RECTIFIERS  
KBU  
FEATURES  
●Surge overload rating -125~175 amperes peak  
.15 X23L  
Ø
(3.8 X5.7L)  
Ø
HOLE THRU  
.935(23.7)  
.895(22.7)  
●Ideal for printed circuit board  
●Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique  
300  
(7.5)  
.700(17.8)  
.600(16.8)  
●Plastic material has UL  
●Mounting postition:Any  
.780(19.8)  
.740(18.8)  
●Mounting torgue:5 In.Ib.Max  
1.00  
(25.4)  
MIN.  
.052(1.3)DIA.  
.048(1.2)TYP.  
.087(2.2)  
.071(1.8)  
.220(5.6)  
.180(4.6)  
.276(7.0)  
.256(6.5)  
Dimensions in inches and (milimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
KBU4005G KBU401G KBU402G KBU404G KBU406G KBU408G KBU410G  
UNIT  
KBU6005G KBU601G KBU602G KBU604G KBU606G KBU608G KBU610G  
KBU8005G KBU801G KBU802G KBU804G KBU806G KBU808G KBU810G  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
40  
280  
40  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
6.0  
6.0  
Maximum Average Forward  
Rectified Output Current at  
TC=100℃  
4.0  
4.0  
8.0  
6.0  
A
A
TA=50℃/40℃/45℃  
Peak Forward Surage Current 8.3ms single  
Half Sine-Wave Super Imposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
125  
150  
175  
A
KBU4G  
KBU6G  
KBU8G  
Maximum Instantanous Forward Voltage Drop  
per Element at4.0A/3.0A/4.0A  
1.1  
1.1  
1.1  
mV  
10  
Maximum Reverse Leakage at rated TA=25℃  
10  
10  
μA  
200  
DC Blocking Voltage Per Element  
TA=100℃  
100  
300  
mA  
-55 to +150  
℃
Operating and Storage Temperature Range TJ.TSTG  
~ 279 ~  
12

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与KBU406G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBU406-G SENSITRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 600V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC, RS-6, 4 PIN
KBU406G-LF WTE

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU, 4
KBU406G-LF SURGE

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode,
KBU406L SURGE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, Silicon, CASE 22, 4 PIN
KBU406-LF SURGE

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode,
KBU406-LF WTE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU, 4
KBU406LW SURGE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, Silicon,
KBU407 RFE

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 		Bridge Rectifier Diode, 4A, 1000V V(RRM),
KBU407 TSC

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 		Single Phase 4.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers
KBU407 CHENG-YI

获取价格

 		SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

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