KBU1006-G

更新时间： 2024-09-24 07:17:59

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上华 - COMCHIP		整流二极管桥式整流二极管 PC
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Silicon Bridge Rectifiers

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KBU1006-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSIP-W4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.67	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	1171927
Samacsys Pin Count：	4	Samacsys Part Category：	Bridge Rectifier
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	KBU1010-G_1-1
Samacsys Released Date：	2019-03-29 07:31:38	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-W4	最大非重复峰值正向电流：	240 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

KBU1006-G 数据手册

Silicon Bridge Rectifiers

KBU10005-G Thru. KBU1010-G

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 10.0A

RoHS Device

KBU

Features

0.15ΦX23L

(3.8ΦX5.7L)

0.157(4.0)*45°C

HOLE THRU

0.935(23.7)

0.895(22.7)

-Surge overload rating - 240 amperes peak.

-Ideal for printed circuit board.

300

(7.5)

0.700(17.8)

0.600(16.8)

0.780(19.8)

0.740(18.8)

Mechanical Data

-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.

1.00

(25.4)

MIN.

-Case: Molded plastic, KBU

0.052(1.3)DIA.

0.048(1.2)TYP.

-Mounting position: Any

-Weight: 7.40grams

.087(2.2)

.071(1.8)

0.220(5.6)

0.180(4.6)

0.276(7.0)

0.256(6.5)

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

KBU

Symbol

Parameter

Unit

10005-G 1001-G 1002-G 1004-G 1006-G 1008-G 1010-G

Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage

RRM

RMS

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

10.0

3.0

Maximum Average Forward (With heatsink Note2)

Rectified Current @Tc=100°C (without hestsink)

(AV)

Peak Forward Surage Current ,

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed On Rated Load

IFSM

240

Maximum Forward Voltage at 5.0A

1.0

@TJ=25°C

@TJ=125°C

10.0

500

Maximum Reverse Current

At Rate DC Blocking Voltage

μA

^OC

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Notes:

-55 to +125

-55 to +150

TSTG

1. Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm Cu plate heatsink.

REV:A

Page 1

QW-BBR62

Comchip Technology CO., LTD.

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KBU1006G-LF	WTE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU,
KBU1007	SURGE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, CASE 22, 4 PIN
KBU1007	TSC	获取价格	Single Phase 10 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers
KBU1007G	TSC	获取价格	Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers
KBU1007G	SURGE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, CASE 22, 4 PIN
KBU1007GT0	TSC	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
KBU1007GT0G	TSC	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
KBU1008	WTE	获取价格	10A BRIDGE RECTIFIER
KBU1008	GOOD-ARK	获取价格	SINGLE PHASE 10 AMPS. SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBU1008	FUJI	获取价格	10 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER

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