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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> KBU1004-G
KBU1004-G PDF预览

KBU1004-G

更新时间： 2024-02-16 12:32:17
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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KBU1004-G 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECONIZED
最小击穿电压：400 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

KBU1004-G 数据手册

 浏览型号KBU1004-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBU1004-G的Datasheet PDF文件第3页 
Silicon Bridge Rectifiers  
KBU10005-G Thru. KBU1010-G  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 10.0A  
RoHS Device  
KBU  
Features  
0.15ΦX23L  
(3.8ΦX5.7L)  
0.157(4.0)*45°C  
HOLE THRU  
0.935(23.7)  
0.895(22.7)  
-Surge overload rating - 240 amperes peak.  
-Ideal for printed circuit board.  
300  
(7.5)  
0.700(17.8)  
0.600(16.8)  
0.780(19.8)  
0.740(18.8)  
Mechanical Data  
-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.  
1.00  
(25.4)  
MIN.  
-Case: Molded plastic, KBU  
0.052(1.3)DIA.  
0.048(1.2)TYP.  
-Mounting position: Any  
-Weight: 7.40grams  
.087(2.2)  
.071(1.8)  
0.220(5.6)  
0.180(4.6)  
0.276(7.0)  
0.256(6.5)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
KBU  
KBU  
KBU  
KBU  
KBU  
KBU  
KBU  
Symbol  
Parameter  
Unit  
10005-G 1001-G 1002-G 1004-G 1006-G 1008-G 1010-G  
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
1000  
10.0  
3.0  
Maximum Average Forward (With heatsink Note2)  
Rectified Current @Tc=100°C (without hestsink)  
I
(AV)  
A
A
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load  
IFSM  
240  
Maximum Forward Voltage at 5.0A  
1.0  
VF  
V
@TJ=25°C  
@TJ=125°C  
10.0  
500  
Maximum Reverse Current  
At Rate DC Blocking Voltage  
μA  
IR  
OC  
OC  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Notes:  
-55 to +125  
-55 to +150  
T
J
TSTG  
1. Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm Cu plate heatsink.  
REV:A  
Page 1  
QW-BBR62  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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