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KBP310G PDF预览

KBP310G

更新时间： 2024-01-01 21:02:01
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DIOTECH /
页数 文件大小 规格书
2页 627K
描述
SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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KBP310G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.69其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-W4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

KBP310G 数据手册

 浏览型号KBP310G的Datasheet PDF文件第2页 
KBP3005G THRU KBP310G  
SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts  
Forward Current - 3.0 Ampere  
FEATURES  
KBP  
●
●
Ideal for printed circuit board  
Surge overload rating: 80A peak  
High case dielectric strength  
High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds at 5lbs. (2.3kg) tension  
.460(11.68)  
.420(10.6)  
●
●
AC  
.5 (12.7)  
MIN  
.035(0.9)  
.028(0.7)  
.160(4.1)  
.140(3.6)  
SPACING  
MECHANICAL DATA  
.600(15.24)  
.560(14.22)  
●
Case: UL-94 Class V-0 recognized Flame Retardant Epoxy  
●
Terminals  
:
Plated leads solderable per  
MIL-STD 202, method 208  
●
Mounting Position: Any  
.153(3.9)  
.146(3.7)  
.050(1.27)  
●
●
Weight: 1.70 g  
Marking: Type Number  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
KBP308G KBP310G  
KBP304G KBP306G  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
SYMBOL  
KBP3005G KBP301G KBP302G  
UNITS  
V
RRM  
RMS  
100  
70  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
50  
35  
50  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
3.0  
V
V
V
V
V
DC  
100  
1000  
Maximum Average Forward Output Current at T  
A
=
50oC  
IO  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Maximum DC Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 3.0A DC  
I
FSM  
60  
V
F
1.1  
V
Maximum Reverse Current at rated  
10.0  
500  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
I
R
μA  
DC Blocking Voltage per element  
-55 to + 150  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBP310G(LS) DIODES

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 		3A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBP310G-B MCC

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 		Rectifier Diode,
KBP310G-BP-HF MCC

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 		暂无描述
KBP310GS MCC

获取价格

 		Bulk: 35pcs/Tube, 4.2Kpcs/Ctn;
KBP310K MDD

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 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP310P MCC

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBP, 4 PIN
KBP4005 GXELECTRONICS

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 		Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000V
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