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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSIP-T4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| Factory Lead Time： | 23 weeks | 风险等级： | 5.65 |
| 最小击穿电压： | 600 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T4 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 1.9 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KBP306G(LS) | DIODES |
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3A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
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| KBP306G-BP | MCC |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBP, 4 |
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| KBP306K | MDD |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
|
| KBP306P | MCC |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBP, 4 PIN |
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| KBP307 | PFS |
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Voltage Range 50 to 1000 Volts Current 3.0 Amperes |
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| KBP307 | CHENG-YI |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
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| KBP307G | LGE |
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Single Phase 3.0AMP. Glass Passivatec Bridge Rectifiers |
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| KBP307G | DACHANG |
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Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 3.0A |
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| KBP307G | TSC |
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Single Phase 3.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers |
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| KBP307G | HOTTECH |
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KBP |
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