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KBP206

更新时间： 2024-01-24 23:52:15
品牌 Logo 应用领域
EIC 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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KBP206 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.05其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：600 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T4湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：600 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

KBP206 数据手册

 浏览型号KBP206的Datasheet PDF文件第2页 
SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
KBP200 - KBP210  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 2.0 Amperes  
KBP  
0.71 (18.0)  
0.63 (16.0)  
FEATURES :  
* High case dielectric strength  
* High surge current capability  
* High reliability  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Ideal for printed circuit board  
0.825 (20.95)  
0.605 (15.36)  
AC AC  
+
0.035 (0.89)  
0.028 (0.71)  
0.500 (12.7)  
MIN.  
0.16 (4.00)  
0.14 (3.55)  
0.276 (7.01 )  
0.236 (5.99)  
0.105 (2.66)  
0.085 (2.16)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Molded plastic  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Terminals : Plated lead solderable per  
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Any  
Dimensions in inches and ( millimeter )  
* Weight : 3.4 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
KBP  
200  
KBP  
201  
KBP  
202  
KBP  
204  
KBP  
206  
KBP  
208  
KBP  
210  
SYMBOL  
UNIT  
RATING  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
2.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
Volts  
IF(AV)  
Amps.  
Maximum Average Forward Current Tc = 50°C  
Peak Forward Surge Current, Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Rating for fusing ( t < 8.3 ms. )  
IFSM  
60  
Amps.  
A2S  
I2t  
10  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 1.0 Amp.  
VF  
1.0  
Volts  
IR  
10  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Ta = 25 °C  
mA  
mA  
pF  
IR(H)  
1.0  
24  
Ta = 100 °C  
Typical Junction Capacitance per Diode (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
CJ  
RqJA  
TJ  
30  
°C/W  
°C  
- 50 to + 125  
- 50 to + 125  
TSTG  
°C  
Notes :  
1 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.  
2 ) Thermal resistance from Junction to Ambient with units mounted on a 0.47" X 0.47" ( 12mm X 12mm ) Cu. Pads.  
UPDATE : MARCH 6, 2000  
12

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