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KBP202G

更新时间： 2024-02-22 13:45:40

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描述
2.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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KBP202G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBP, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	200 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

KBP202G 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

KBP200 – KBP2010

2.0A BRIDGE RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Ideal for Printed Circuit Boards

UL Recognized File # E157705

KBP

Dim

Min

14.22

10.67

15.2

4.57

3.60

2.16

0.76

1.52

11.68

12.7

Max

15.24

11.68

—

5.08

4.10

2.67

0.86

—

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: As Marked on Body

Weight: 1.7 grams (approx.)

Mounting Position: Any

12.7

—

3.2 x 45° Typical

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

KBP

200

KBP

201

KBP

202

KBP

204

KBP

206

KBP

208

KBP

2010

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

2.0

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@T_A= 50°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage (per element)

@I_F= 2.0A

V^FM

I^RM

1.1

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

500

µA

Rating for Fusing (t<8.3ms)

I²^t

C^j

A²s

Typical Junction Capacitance per element (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

R^ꢀ^JA

T^j,T^STG

K/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +165

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

3. Thermal resistance junction to ambient mounted on PC board with 12mm²copper pad.

KBP200 – KBP2010

1 of 3

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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KBP202G-G	COMCHIP	Glass Passivated Bridge Rectifiers	获取价格
KBP202GL	CTC	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
KBP202K	MDD	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
KBP202PT	CHENMKO	SILICON BRIDGE RECTIFIER	获取价格
KBP202W	SURGE	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon,	获取价格

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