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KBP202G

更新时间: 2024-02-11 08:44:51
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大昌电子 - DACHANG /
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 2.0A

KBP202G 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBP, 4 PIN
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.18Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:200 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-PSIP-T4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最大输出电流:2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

KBP202G 数据手册

 浏览型号KBP202G的Datasheet PDF文件第2页 
R
SIYU  
KBP201G......KBP207G  
Single-phase Silicon Bridge Rectifier  
塑封硅整流桥堆  
反向电50---1000V  
正向电流 2.0 A  
Reverse Voltage 50 to 1000 V  
Forward Current 2.0A  
KBP  
特征 Features  
·反向漏电流低 Low reverse leakage  
·正向浪涌承受能力较强 High forward surge capability  
·浪涌承受能力:60 A Surge overload rating: 60 Amperes peak  
·引线和管体皆符合RoHS标准 。  
Lead and body according with RoHS standard  
机械数据 Mechanical Data  
·
·
·
封装  
:
塑料封装 Case: Molded Plastic  
极性  
:
标记模压或印于本体 Polarity: Symbols molded or marked on body  
安装位置: 任意 Mounting Position: Any  
Unit(mm)  
极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25  
ambient temperature unless otherwise specified.  
KBP KBP KBP  
202G 203G 204G  
符号  
Symbols  
KBP  
201G  
KBP KBP  
205G 206G  
KBP  
207G  
单位  
Unit  
最大可重复峰值反向电压  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
V
V
200  
800  
1000  
50  
100  
400  
600  
VRRM  
VRMS  
最大均方根电压  
Maximum RMS voltage  
140  
200  
560  
800  
700  
35  
50  
70  
280  
400  
420  
600  
最大直流阻断电压  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
1000  
100  
TA =50  
最大正向平均整流电流  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
IFSM  
A
A
2.0  
60  
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
30  
典型热阻 Typical thermal resistance  
RθJA  
Tj  
/W  
工作结温  
-55 --- +125  
-55 --- +150  
Operating junction  
存储温度  
TSTG  
Storage temperature range  
电特性 TA = 25  
除非另有规定。  
Electrical Characteristics Ratings at 25  
ambient temperature unless otherwise specified.  
KBP KBP KBP  
202G 203G 204G  
KBP  
201G  
KBP KBP  
205G 206G  
KBP  
207G  
符号  
Symbols  
单位  
Unit  
最大正向电压  
Maximum forward voltage  
IF =2.0A  
V
1.1  
VF  
10  
500  
最大反向电流  
TA= 25  
μA  
IR  
TA = 125  
Maximum reverse current  
大昌电子 DACHANG ELECTRONICS  

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