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KBP201G

更新时间： 2024-11-25 11:57:35

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描述
Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 2.0A

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KBP201G 数据手册

SIYU

KBP201G......KBP207G

Single-phase Silicon Bridge Rectifier

塑封硅整流桥堆

反向电压50---1000V

正向电流 2.0 A

Reverse Voltage 50 to 1000 V

Forward Current 2.0A

KBP

特征 Features

·反向漏电流低 Low reverse leakage

·正向浪涌承受能力较强 High forward surge capability

·浪涌承受能力：60 A Surge overload rating: 60 Amperes peak

·引线和管体皆符合RoHS标准。

Lead and body according with RoHS standard

机械数据 Mechanical Data

封装

塑料封装 Case: Molded Plastic

极性

标记模压或印于本体 Polarity: Symbols molded or marked on body

安装位置: 任意 Mounting Position: Any

Unit(mm)

极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。

Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25

℃

ambient temperature unless otherwise specified.

KBP KBP KBP

202G 203G 204G

符号

Symbols

KBP

201G

KBP KBP

205G 206G

KBP

207G

单位

Unit

最大可重复峰值反向电压

Maximum repetitive peak reverse voltage

200

800

1000

100

400

600

V_RRM

V_RMS

最大均方根电压

Maximum RMS voltage

140

200

560

800

700

280

400

420

600

最大直流阻断电压

Maximum DC blocking voltage

V_DC

1000

100

T_A=50

℃

最大正向平均整流电流

Maximum average forward rectified current

I_F(AV)

I_FSM

2.0

峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

典型热阻 Typical thermal resistance

R_θJA

℃

工作结温

-55 --- +125

-55 --- +150

℃

Operating junction

存储温度

TSTG

Storage temperature range

电特性 TA = 25

℃除非另有规定。

Electrical Characteristics Ratings at 25

℃

ambient temperature unless otherwise specified.

KBP KBP KBP

202G 203G 204G

KBP

201G

KBP KBP

205G 206G

KBP

207G

符号

Symbols

单位

Unit

最大正向电压

Maximum forward voltage

I_F=2.0A

1.1

V_F

500

最大反向电流

TA= 25

℃

μA

I_R

TA = 125

℃

Maximum reverse current

大昌电子 DACHANG ELECTRONICS

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