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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> KBP2010G-LF
KBP2010G-LF PDF预览

KBP2010G-LF

更新时间： 2024-01-04 09:27:14
品牌 Logo 应用领域
WTE 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPM, SIP-4

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KBP2010G-LF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.69
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-W4
湿度敏感等级：2最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：165 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

KBP2010G-LF 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
Pb  
KBP200 – KBP2010  
2.0A SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER  
Features  
!
Diffused Junction  
!
!
!
!
!
!
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
Recognized File # E157705  
A
L
KBP  
Min  
Dim  
A
B
C
D
E
Max  
15.24  
11.68  
—
J
B
14.22  
10.67  
15.20  
4.57  
-
~
~
+
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
5.08  
4.10  
1.40  
0.86  
—
K
C
3.60  
Mechanical Data  
!
!
G
H
I
1.00  
0.76  
Case: KBP, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
I
H
1.52  
J
11.68  
12.7  
12.70  
—
E
G
K
L
!
!
!
!
!
3.2 x 45° Typical  
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
KBP  
200  
KBP  
201  
KBP  
202  
KBP  
204  
KBP  
206  
KBP  
208  
KBP  
2010  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
2.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
60  
A
Forward Voltage per leg  
@IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
1.1  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
5.0  
500  
µA  
Rating for Fusing (t<8.3ms)  
I2t  
Cj  
15  
25  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per leg (Note 1)  
Typical Thermal Resistance per leg (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
RꢀJA  
RꢀJL  
30  
11  
°C/W  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +165  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Mounted on PC board with 12mm2 copper pad.  
KBP200 – KBP2010  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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与KBP2010G-LF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBP2010GP CHENMKO

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 		Bridge Rectifier Diode,
KBP2010-LF WTE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBP,
KBP2010PT CHENMKO

获取价格

 		SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBP201G HY

获取价格

 		GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBP201G FRONTIER

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 		2A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBP201G WILLAS

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 		2.0 AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER KBP PACKAGE
KBP201G LGE

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 		Single Phase 2.0AMP. Glass Passivatec Bridge Rectifiers
KBP201G GULFSEMI

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 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current:2.0A
KBP201G TSC

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KBP201G DACHANG

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 		Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 2.0A

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