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KBP2010G

更新时间： 2024-02-04 05:55:36
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 97K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, KBP, 4 PIN

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KBP2010G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PSIP-W4JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：165 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KBP2010G 数据手册

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M C C  
BRIDGE RECTIFIERS  
OPERATING/STORAGE TEMPERATURE RANGE: -55°C TO 150°C  
Maximum  
Reverse Current  
@ VRWM  
Working  
Peak  
Reverse  
Voltage  
Average Forward  
Current @ Half-Wave  
Resistive Load  
60Hz  
Forward Peak  
Surge Current  
@ 8.3mS  
Maximum Forward Voltage @  
25°C TL*  
MCC  
Part Number  
Package  
Superimposed  
@ 25°C TL*  
VRWM  
V
IO @ TL  
IFSM  
A
IR  
IFM  
A
VFM  
V
A
°C  
µA  
Through Hole Bridge Rectifiers  
MB05M  
MB1M  
MB2M  
MB4M  
MB6M  
MB8M  
MB10M  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
MB-1  
0.5  
DB101  
DB102  
DB103  
DB104  
DB105  
DB106  
DB107  
HDB101G  
HDB102G  
HDB103G  
HDB104G  
HDB105G  
HDB106G  
HDB107G  
RB151  
RB152  
RB153  
RB154  
RB155  
RB156  
RB157  
W005G  
W01G  
W02G  
W04G  
W06G  
W08G  
W10G  
50  
100  
200  
400  
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50  
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1000  
40  
40  
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40  
40  
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40  
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40  
40  
40  
40  
40  
40  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
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50  
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50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.0  
1.0  
1.0  
1.3  
1.7  
1.7  
1.7  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
DB-1  
RB-15  
WOM  
1.0  
1.5  
W005M  
W01M  
W02M  
W04M  
W06M  
W08M  
W10M  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
”G” suffix signifies a glass passivated die  
www.mccsemi.com  
61  
123456

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与KBP2010G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBP2010-G COMCHIP

获取价格

 		Rectifier Diode,
KBP2010-G SENSITRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, KBP, 4 PIN
KBP2010G-BP MCC

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, KBP, 4 PIN
KBP2010GL CTC

获取价格

 		GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBP2010G-LF WTE

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPM,
KBP2010GP CHENMKO

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode,
KBP2010-LF WTE

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBP,
KBP2010PT CHENMKO

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 		SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBP201G HY

获取价格

 		GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBP201G FRONTIER

获取价格

 		2A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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