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KBP2010G

更新时间: 2024-11-25 19:28:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 97K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, KBP, 4 PIN

KBP2010G 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSIP-T4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.19
Is Samacsys:N配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSIP-T4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:65 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

KBP2010G 数据手册

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M C C  
BRIDGE RECTIFIERS  
OPERATING/STORAGE TEMPERATURE RANGE: -55°C TO 150°C  
Maximum  
Reverse Current  
@ VRWM  
Working  
Peak  
Reverse  
Voltage  
Average Forward  
Current @ Half-Wave  
Resistive Load  
60Hz  
Forward Peak  
Surge Current  
@ 8.3mS  
Maximum Forward Voltage @  
25°C TL*  
MCC  
Part Number  
Package  
Superimposed  
@ 25°C TL*  
VRWM  
V
IO @ TL  
IFSM  
A
IR  
IFM  
A
VFM  
V
A
°C  
µA  
Through Hole Bridge Rectifiers  
MB05M  
MB1M  
MB2M  
MB4M  
MB6M  
MB8M  
MB10M  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
MB-1  
0.5  
DB101  
DB102  
DB103  
DB104  
DB105  
DB106  
DB107  
HDB101G  
HDB102G  
HDB103G  
HDB104G  
HDB105G  
HDB106G  
HDB107G  
RB151  
RB152  
RB153  
RB154  
RB155  
RB156  
RB157  
W005G  
W01G  
W02G  
W04G  
W06G  
W08G  
W10G  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
50  
100  
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50  
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1000  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
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50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
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50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.0  
1.0  
1.0  
1.3  
1.7  
1.7  
1.7  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
DB-1  
RB-15  
WOM  
1.0  
1.5  
W005M  
W01M  
W02M  
W04M  
W06M  
W08M  
W10M  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
”G” suffix signifies a glass passivated die  
www.mccsemi.com  
61  

与KBP2010G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBP2010-G COMCHIP

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Rectifier Diode,
KBP2010-G SENSITRON

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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, KBP, 4 PIN
KBP2010G-BP MCC

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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, KBP, 4 PIN
KBP2010GL CTC

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GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBP2010G-LF WTE

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPM,
KBP2010GP CHENMKO

获取价格

Bridge Rectifier Diode,
KBP2010-LF WTE

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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBP,
KBP2010PT CHENMKO

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SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBP201G HY

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GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBP201G FRONTIER

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2A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER