KBP201

更新时间： 2024-11-24 22:47:43

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EIC		整流二极管桥式整流二极管
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2页	22K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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KBP201 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	2 A
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

KBP201 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

KBP200 - KBP210

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 2.0 Amperes

KBP

0.71 (18.0)

0.63 (16.0)

FEATURES :

* High case dielectric strength

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ideal for printed circuit board

0.825 (20.95)

0.605 (15.36)

AC AC

0.035 (0.89)

0.028 (0.71)

0.500 (12.7)

MIN.

0.16 (4.00)

0.14 (3.55)

0.276 (7.01 )

0.236 (5.99)

0.105 (2.66)

0.085 (2.16)

MECHANICAL DATA :

* Case : Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and ( millimeter )

* Weight : 3.4 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

KBP

200

KBP

201

KBP

202

KBP

204

KBP

206

KBP

208

KBP

210

SYMBOL

UNIT

RATING

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

2.0

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Volts

IF(AV)

Amps.

Maximum Average Forward Current Tc = 50°C

Peak Forward Surge Current, Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Rating for fusing ( t < 8.3 ms. )

IFSM

Amps.

A²S

I²t

Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 1.0 Amp.

1.0

Volts

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 °C

IR(H)

1.0

Ta = 100 °C

Typical Junction Capacitance per Diode (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

RqJA

°C/W

°C

- 50 to + 125

TSTG

°C

Notes :

1 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.

2 ) Thermal resistance from Junction to Ambient with units mounted on a 0.47" X 0.47" ( 12mm X 12mm ) Cu. Pads.

UPDATE : MARCH 6, 2000

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KBP201 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KBP201G	DIODES	功能相似	2.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBP201G	SURGE	功能相似	Single Phase 2.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

与KBP201相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KBP2010	WTE	获取价格	2.0A BRIDGE RECTIFIER
KBP2010	COMCHIP	获取价格	Silicon Bridge Rectifiers
KBP2010	PFS	获取价格	2.0A BRIDGE RECTIFIER
KBP2010	PANJIT	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP2010G	CTC	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBP2010G	FRONTIER	获取价格	2A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBP2010G	WTE	获取价格	2.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBP2010G	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, KBP, 4 PIN
KBP2010G	SENSITRON	获取价格	2A, 1000V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, KBP, 4 PIN
KBP2010G	JUXING	获取价格	GLASS PASSIVATED BIRIDGE RECTIFIERS

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