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KBP201

更新时间： 2024-01-25 10:27:27
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亞昕 - YEASHIN 二极管
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2页 416K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE

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KBP201 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-LSIP-W4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.64配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-LSIP-W4最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

KBP201 数据手册

 浏览型号KBP201的Datasheet PDF文件第2页 
DATA SHEET  
SEMICONDUCTOR  
KBP200~KBP210  
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE  
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE  
VOLTAGE RANGE-50 to 1000 Volts CURRENT-2.0 Amperes  
FEATURES  
KBP Unit:inch(mm)  
‧ Ideal for printed circuit board  
( 5.2)  
‧ Surge overload rating: 60 Amperes peak  
‧ High temperature soldering : 260OC / 10 seconds at terminals  
‧ Pb free product at available : 99% Sn above meet RoHS  
environment substance directive request  
.600 1  
(
.560 14.2  
)
(
7)  
.46 11.  
(
.42 10.7  
)
AC  
MECHANICAL DATA  
‧ Case:Molded plastic  
.50  
12.7  
‧ Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
‧ Lead: MIL-STD-202E,Method 208 guaranteed  
.
(
)MIN  
(
)MIN  
15.2  
‧ Polarity: Symbols molded or marked on body  
‧ Mounting position: Any  
(
)
.034 0.86 DIA.  
(
.028 0.  
71) TYP  
(
)
)
.160 4.1  
1.0  
‧ Weight: 2.74 grams  
(
.140 3.6  
(
)
1.4  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
‧ Ratings at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
‧ Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
‧ For capacitive load, derate current by 20%.  
( .9)  
.153 3  
(
.130 3.3  
)
SYMBOL  
VRRM  
VRMS  
VDC  
KBP206 KBP208  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
Amps  
KBP200 KBP201 KBP202 KBP204  
KBP210  
1000  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
2.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
700  
100  
1000  
Maximum Average Forward Output TA = 50℃  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half  
sine-wave  
IO  
IFSM  
60  
Amps  
Volts  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
Maximum Forward Voltage Drop per element at 1.0A  
DC  
VF  
IR  
1.0  
Maximum DC Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage per  
element  
@TA = 25℃  
5
µAmp  
@TA = 100℃  
500  
I2t Rating for Fusing(t<8.3ms)  
Typical Junction Capacitance(Note1)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
I2t  
CJ  
10  
A2Sec  
pF  
15  
TJ  
-55 to + 150  
-55 to + 150  
℃
TSTG  
℃
NOTES: 1.Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts  
2.Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead mounted on P.C.B with 0.47x0.47”(12x12mm)copperpads.  
http://www.yeashin.com  
1
REV.03 20130130  
12

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