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KBL602

更新时间： 2024-02-28 02:46:25
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2页 227K
描述
CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts

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KBL602 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-W4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：100 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PSIP-W4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：175 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KBL602 数据手册

 浏览型号KBL602的Datasheet PDF文件第2页 
CURRENT 6.0 Amperes  
VOLTAGE 50 to 1000 Volts  
KBL6005 THRU KBL607  
Features  
· High case dielectric Strength of 1500V  
· Low Forward Voltage Drop, High Current Capability  
· Surge Overload Rating to 250A Peak  
A
· Ideal for Printed Circuit Board Application  
· Plastic Material - UL Flammability Classification 94V-0  
B
-
+
H
C
K B L  
Mechanical Data  
Dim  
A
Min  
18.50  
15.40  
19.00  
6.20  
Max  
G
19.50  
16.40  
D
· Case : Molded Plastic  
· Terminals : Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
· Polarity : Symbols Marked on Case  
· Approx. Weight: 5.6 grams  
· Marking : Type Number  
B
C
E
D
6.50  
5.60  
2.00  
E
4.60  
G
1.50  
H
1.30 Typical  
All Dimens ions in mm  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive  
load. For capacitive load, derate by 20%)  
KBL  
6005  
KBL  
601  
KBL  
602  
KBL  
604  
KBL  
605  
KBL  
606  
KBL  
Symbols  
Units  
607  
Peak Repetitive Reverse voltage  
Working Peak Reverse voltage  
DC Blocking voltage  
V
V
V
RMM  
RWM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
Volts  
R
RMS Reverse voltage  
V
RMS  
280  
6.0  
Volts  
Average Rectified Output Current @ T  
C
=75  
Io  
Amps  
℃
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,  
8.3ms single half-sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
150  
Amps  
VFM  
1.1  
Volts  
Forward Voltage per element  
@ IF=3.0 A  
μA  
@ T  
C
=25℃  
10  
1.0  
Peak Reverse Current at Rated  
DC Blocking Voltage  
IR  
mA  
@ TC  
=100℃  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms) (Note 2)  
I2t  
166  
A2  
S
Typical Thermal Resistance,  
Junction to Case (Note 1)  
19  
℃/W  
RθJA  
T
STG  
j
Operating and Storage Temperature Range  
-40 to +150  
℃
T
Notes:  
(1) Thermal Resistance from junction to case per element mounted on PC board with 13 x 13 x 0.03mm land areas.  
(2) Non-repetitive for t > 1ms and < 8.3ms.  
12

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