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KBL601

更新时间： 2024-01-28 18:16:45

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2页	870K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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KBL601 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PSIP-W4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	50 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-W4	最大非重复峰值正向电流：	180 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	最大重复峰值反向电压：	50 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

KBL601 数据手册

KBL6005 THRU KBL610

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current -

6.0 Amperes

KBL

FEATURES

The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

Ideal for printed circuit boards

0.768(19.5)

0.728(18.5)

Low reverse leakage

High forward surge current capability

High temperature soldering guaranteed:

0.580(14.7)

0.540(13.7)

0.640(16.3)

0.600(15.2)

260 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

0.750

(19.0)

MIN.

0.052(1.3)

0.048(1.2)

MECHANICAL DATA

Case: Molded plastic body

0.083

(2.1)

0.220(5.6)

0.180(4.6)

Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

0.256(6.5)

0.236(6.0)

Polarity: Polarity symbols marked on case

Mounting Position: Any

Weight:0.22 ounce, 6.21 grams

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

KBL

6005

KBL

601

KBL

602

KBL

604

KBL

606

KBL

608

KBL

610

SYMBOLS

UNITS

MDD Catalog

Number

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

VRRM

VRMS

VDC

VOLTS

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC blocking voltage

100

1000

Maximum average forward TC=50 C(Note 2)

6.0

3.8

I(AV)

Amps

output rectified current at

Peak forward surge current

TA=50 C(Note 3)

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

125

Amps

IFSM

Maximum instantaneous forward voltage drop

per birdge element at 6.0A

Volts

1.1

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

TA=25 C

1.0

105

TA=100 C

C/W

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating junction temperature range

storage temperature range

RθJA

-55 to +150

TSTG

NOTES:

1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.

2.Unit mounted on 3.0” x 3.0” x 0. 11” t hi ck(7.5x7.5x0.3cm) Al. plate.

3.P.C.Board mounted with 0.5” x0.5” (12x12mm) copper pads,0.375” (9.5mm) lead length.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KBL601_1	TSC	获取价格	Single Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers
KBL601-C	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
KBL601G	TSC	获取价格	Single Phase 6.0AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers
KBL601G	SECOS	获取价格	Voltage 50V ~ 1000V, 6.0 Amp Glass Passivated Bridge Rectifiers
KBL601G	HY	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBL601G_14	TSC	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
KBL601G_16	TSC	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
KBL602	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBL602	MDD	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBL602	LGE	获取价格	Single Phase 6.0AMP. Silicon Bridge Rectifiers

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