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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> KBL406-G
KBL406-G PDF预览

KBL406-G

更新时间： 2024-01-03 12:05:00
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管桥式整流二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
Glass Passivated Bridge Rectifiers

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KBL406-G 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSIP-W4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64其他特性：HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：600 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-W4最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE最大重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

KBL406-G 数据手册

 浏览型号KBL406-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBL406-G的Datasheet PDF文件第3页 
Glass Passivated Bridge Rectifiers  
KBL4005-G Thru. KBL410-G  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 4.0Amperes  
RoHS Device  
KBL  
Features  
-Surge overload rating - 125 amperes peak.  
0.157(4.0)*45°C  
0.157(4.0)*45°  
0.768(19.5)  
0.728(18.5)  
-Ideal for printed circuit board.  
0.587(14.9)  
0.547(13.9)  
0.640(16.3)  
0.600(15.2)  
Mechanical Data  
-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.  
-Case: Molded plastic, KBL  
-Mounting position: Any  
0.750  
MIN.  
(19.0)  
-Weight: 5.04 grams.  
0.052(1.3)DIA.  
0.048(1.2)TYP.  
0.087 (2.2)  
0.071 (1.8)  
0.220(5.6)  
0.180(4.6)  
0.256(6.5)  
0.236(6.0)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
KBL  
KBL  
KBL  
KBL  
KBL  
KBL  
KBL  
Symbol  
Parameter  
Unit  
4005-G  
401-G  
402-G  
404-G  
406-G  
408-G  
410-G  
1000  
700  
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
V
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
100  
1000  
Maximum Average Forward Output  
Current at 50°C TA (Note 1)  
I
(AV)  
4.0  
A
A
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load  
IFSM  
125  
Maximum Forward Voltage Drop Per Element  
at 4.0A Peak  
1.1  
10.0  
1.0  
V
F
V
Maximum Reverse Current  
at Rate DC Blocking Voltage  
μA  
IR  
Maximum Reverse Current  
At Rate DC Blocking Voltage and 150°C TA  
mA  
IR  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
J
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
Notes:  
1. Mounting conditions, 0.5” lead length maximum.  
REV:A  
Page 1  
QW-BBR70  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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