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KBJ2D

更新时间: 2024-02-09 21:40:14
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SYNSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 401K
描述
Rectifier Diode,

KBJ2D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSIP-T4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.63Is Samacsys:N
最小击穿电压:200 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
最大重复峰值反向电压:200 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

KBJ2D 数据手册

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