KA4A4Z

更新时间： 2024-11-08 22:32:31

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日电电子 - NEC		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
22页	373K
描述
RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR

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KA4A4Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	USM, SC-75, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KA4A4Z 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

KA4xxx

RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR

FEATURES

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

• Compact package

• Resistors built-in type

• Complementary to KN4xxx

+0.1

–0

0.3

+0.1

0.15

–0.05

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

0 to 0.1

PACKAGE

+0.1

0.2

–0

KA4xxx

SC-75 (USM)

0.6

0.5

0.75 0.05

1.0

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

1.6 0.1

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse) ^Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

IC(pulse)

P^T

0.1

0.2

°C

EQUIVALENT CIRCUIT

PIN CONNECTION

1: Emitter

2: Base

0.2

150

3: Collector

T^j

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Note PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

PART NUMBER

KA4A4M

KA4F4M

KA4L4M

KA4L3M

KA4L3N

MARK

UNIT

kΩ

PART NUMBER

KA4L4L

MARK

UNIT

kΩ

10.0

22.0

47.0

4.7

10.0

22.0

47.0

4.7

47.0

10.0

22.0

47.0

2.2

22.0

KA4A4Z

KA4F4Z

KA4L4Z

4.7

10.0

KA4F3M

KA4F3P

KA4F3R

KA4A4L

2.2

10.0

47.0

4.7

KA4L3Z

4.7

2.2

KA4A3Q

KA4A4P

KA4F4N

1.0

10.0

47.0

2.2

10.0

22.0

10.0

47.0

KA4L4K

10.0

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

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The mark

shows major revised points.

Document No. D16495EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published October 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6 7...22

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