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K9F5616U0C-PIB0T

更新时间： 2024-09-30 13:09:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 闪存
页数 文件大小 规格书
39页 654K
描述
Flash, 16MX16, 30ns, PDSO48,

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K9F5616U0C-PIB0T 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
Is Samacsys：N最长访问时间：30 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：1
部门数/规模：2K端子数量：48
字数：16777216 words字数代码：16000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：256 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：8K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.025 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPEBase Number Matches：1

K9F5616U0C-PIB0T 数据手册

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San 16 Banwol-Ri  
Taean-Eup Hwasung- City  
Kyungki Do, Korea  
Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463  
Fax.) 82 - 31 -208 - 6799  
ELECTRONICS  
March. 2003  
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata  
Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.  
> AC characteristics : Refer to Table  
Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0  
K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0  
K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0  
Improvement schedule : The components without this restriction will  
be available from work week 23 or after.  
Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.  
Table  
UNIT : ns  
Parameters  
Specification  
tWC  
45  
tWH  
15  
tWP  
25  
tRC  
50  
tREH  
15  
tRP  
25  
tREA tCEA  
30  
60  
45  
75  
Relaxed Condition  
80  
20  
60  
80  
20  
60  
Sincerely,  
chwoosun@sec.samsung.com  
Product Planning & Application Eng.  
Memory Division  
Samsung Electronics Co.  
1
1234567...39

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与K9F5616U0C-PIB0T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F5616U0C-Y SAMSUNG

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 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-YCB0 SAMSUNG

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 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-YCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5616U0C-YIB0 SAMSUNG

获取价格

 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-YIB0T SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 16MX16, 30ns, PDSO48,
K9F56XXQ0C SAMSUNG

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 		32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F6408Q0C SAMSUNG

获取价格

 		8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory
K9F6408Q0C-B SAMSUNG

获取价格

 		8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory
K9F6408Q0C-BIB0 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, TBGA-48
K9F6408Q0C-BIB00 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48

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