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K9F5616U0C-HCB0

更新时间： 2024-09-27 22:28:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
39页	654K
描述
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

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K9F5616U0C-HCB0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA63,10X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	30 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	2K
端子数量：	63	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA63,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	页面大小：	256 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9F5616U0C-HCB0 数据手册

San 16 Banwol-Ri

Taean-Eup Hwasung- City

Kyungki Do, Korea

Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463

Fax.) 82 - 31 -208 - 6799

ELECTRONICS

March. 2003

512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.

> AC characteristics : Refer to Table

Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0

K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0

K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0

Improvement schedule : The components without this restriction will

be available from work week 23 or after.

Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.

Table

UNIT : ns

Parameters

Specification

tWC

tWH

tWP

tRC

tREH

tRP

tREA tCEA

Relaxed Condition

Sincerely,

chwoosun@sec.samsung.com

Product Planning & Application Eng.

Memory Division

Samsung Electronics Co.

12 3 4 5 6 7...39

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