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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, BGA63,10X12,32 | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 30 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | 长度： | 11 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 2K | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 页面大小： | 256 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1 mm |
| 部门规模： | 8K | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | NO |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F5616U0C-DCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 |
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| K9F5616U0C-DIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F5616U0C-DIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 |
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| K9F5616U0C-GCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, |
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| K9F5616U0C-GCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
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| K9F5616U0C-GCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, |
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| K9F5616U0C-GIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, |
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| K9F5616U0C-GIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, |
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| K9F5616U0C-H | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F5616U0C-HCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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