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Datasheet > 存储 > 闪存> K9F5616Q0C-DCB0
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K9F5616Q0C-DCB0

更新时间： 2024-11-25 22:09:11
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三星 - SAMSUNG 闪存存储内存集成电路
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39页 654K
描述
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

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K9F5616Q0C-DCB0 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, BGA63,10X12,32针数：63
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最长访问时间：30 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B63
长度：11 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：2K
端子数量：63字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA63,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：256 words并行/串行：PARALLEL
电源：1.8 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1 mm部门规模：8K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
切换位：NO类型：NAND TYPE
宽度：9 mmBase Number Matches：1

K9F5616Q0C-DCB0 数据手册

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San 16 Banwol-Ri  
Taean-Eup Hwasung- City  
Kyungki Do, Korea  
Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463  
Fax.) 82 - 31 -208 - 6799  
ELECTRONICS  
March. 2003  
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata  
Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.  
> AC characteristics : Refer to Table  
Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0  
K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0  
K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0  
Improvement schedule : The components without this restriction will  
be available from work week 23 or after.  
Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.  
Table  
UNIT : ns  
Parameters  
Specification  
tWC  
45  
tWH  
15  
tWP  
25  
tRC  
50  
tREH  
15  
tRP  
25  
tREA tCEA  
30  
60  
45  
75  
Relaxed Condition  
80  
20  
60  
80  
20  
60  
Sincerely,  
chwoosun@sec.samsung.com  
Product Planning & Application Eng.  
Memory Division  
Samsung Electronics Co.  
1
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与K9F5616Q0C-DCB0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F5616Q0C-DCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63
K9F5616Q0C-DIB0 SAMSUNG

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 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616Q0C-GCB0T SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63
K9F5616Q0C-GIB0 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63
K9F5616Q0C-GIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
K9F5616Q0C-GIB0T SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63
K9F5616Q0C-H SAMSUNG

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 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616Q0C-HCB0 SAMSUNG

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 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616Q0C-HCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-63
K9F5616Q0C-HIB0 SAMSUNG

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 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

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