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Datasheet > 存储 > 闪存> K9F5608U0C-FCB0
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K9F5608U0C-FCB0

更新时间： 2024-11-25 22:18:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
39页 654K
描述
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

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K9F5608U0C-FCB0 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP, TSSOP48,.71,20
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.74
Is Samacsys：N最长访问时间：30 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3部门数/规模：2K
端子数量：48字数：33554432 words
字数代码：32000000最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-10 °C组织：32MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.71,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：512 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：16K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.025 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPEBase Number Matches：1

K9F5608U0C-FCB0 数据手册

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San 16 Banwol-Ri  
Taean-Eup Hwasung- City  
Kyungki Do, Korea  
Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463  
Fax.) 82 - 31 -208 - 6799  
ELECTRONICS  
March. 2003  
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata  
Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.  
> AC characteristics : Refer to Table  
Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0  
K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0  
K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0  
Improvement schedule : The components without this restriction will  
be available from work week 23 or after.  
Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.  
Table  
UNIT : ns  
Parameters  
Specification  
tWC  
45  
tWH  
15  
tWP  
25  
tRC  
50  
tREH  
15  
tRP  
25  
tREA tCEA  
30  
60  
45  
75  
Relaxed Condition  
80  
20  
60  
80  
20  
60  
Sincerely,  
chwoosun@sec.samsung.com  
Product Planning & Application Eng.  
Memory Division  
Samsung Electronics Co.  
1
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与K9F5608U0C-FCB0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F5608U0C-FCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F5608U0C-FCB0T SAMSUNG

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 		暂无描述
K9F5608U0C-FIB0 SAMSUNG

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 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608U0C-FIB00 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F5608U0C-FIB0T SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48,
K9F5608U0C-GCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
K9F5608U0C-GCB0T SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63
K9F5608U0C-GIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
K9F5608U0C-H SAMSUNG

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 		512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
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