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K9F5608U0C-DIB0

更新时间: 2024-01-10 03:38:52
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三星 - SAMSUNG 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 654K
描述
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

K9F5608U0C-DIB0 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VFBGA, BGA63,10X12,32
针数:63Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最长访问时间:30 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PBGA-B63
JESD-609代码:e0长度:11 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:2K端子数量:63
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小:512 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm部门规模:16K
最大待机电流:0.00005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO类型:NAND TYPE
宽度:9 mmBase Number Matches:1

K9F5608U0C-DIB0 数据手册

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San 16 Banwol-Ri  
Taean-Eup Hwasung- City  
Kyungki Do, Korea  
Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463  
Fax.) 82 - 31 -208 - 6799  
ELECTRONICS  
March. 2003  
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata  
Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.  
> AC characteristics : Refer to Table  
Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0  
K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0  
K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0  
Improvement schedule : The components without this restriction will  
be available from work week 23 or after.  
Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.  
Table  
UNIT : ns  
Parameters  
Specification  
tWC  
45  
tWH  
15  
tWP  
25  
tRC  
50  
tREH  
15  
tRP  
25  
tREA tCEA  
30  
60  
45  
75  
Relaxed Condition  
80  
20  
60  
80  
20  
60  
Sincerely,  
chwoosun@sec.samsung.com  
Product Planning & Application Eng.  
Memory Division  
Samsung Electronics Co.  
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